Jual APT25GN120SG IGBT Transistors Microchip Technology
Spesifikasi & distribusi komponen IGBT Transistors Microchip Technology.
Technical Information
Request Quote
Dapatkan penawaran harga terbaik, stok terupdate, dan estimasi pengiriman cepat.
Spesifikasi
| Fitur | Spesifikasi |
|---|---|
| Manufacturer | Microchip |
| Product Category | IGBT Transistors |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Package/Case | D3PAK-3 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Configuration | Single |
| Collector-Emitter Voltage VCEO Max | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.7 V |
| Maximum Gate Emitter Voltage | -30 V, 30 V |
| Continuous Collector Current at 25°C | 67 A |
| Pd - Power Dissipation | 272 W |
| Minimum Operating Temperature | -55°C |
| Maximum Operating Temperature | +150°C |
| Packaging | Tube |
| Brand | Microchip Technology |
| Continuous Collector Current | 67 A |
| Continuous Collector Current Ic Max | 67 A |
| Gate-Emitter Leakage Current | 600 nA |
| Height | 5.08 mm |
| Length | 16.05 mm |
| Operating Temperature Range | -55°C to +150°C |
| Product Type | IGBT Transistors |
| Subcategory | IGBTs |
| Width | 13.99 mm |
| Unit Weight | 6 g |
Technical Depth
IGBT Transistors FG 1200V 25A D3 TO-268 (APT25GN120SG) memamerkan sejumlah spesifikasi yang membuatnya menjadi pilihan utama dalam aplikasi listrik yang mengharuskan daya tinggi dan efisiensi yang optimal. Salah satu ciri khasnya adalah tegangan maksimum kolektor-emosi (VCEO) sebesar 1.2 kV, yang memungkinkan produk ini beroperasi dengan aman di dalam sistem tenaga tinggi. Selain itu, tegangan jenuh kolektor-emosi (Collector-Emitter Saturation Voltage) yang rendah sebesar 1.7 V membuatnya sangat efisien dalam kondisi operasionalnya.
Dalam hal daya, IGBT Transistors FG ini memiliki kemampuan kontinyu yang mengesankan dengan arus kolektor sebesar 67 A pada suhu 25°C. Sementara itu, daya yang dapat disipasi oleh transistor ini mencapai 272 W, menjadikannya cocok untuk aplikasi daya besar.
Produk ini juga sangat andal dalam berbagai kondisi lingkungan, dengan kemampuan operasional yang luas, mulai dari suhu ekstrem sebesar -55°C hingga +150°C. Keandalannya tidak hanya berdasarkan karakteristik fisik, tetapi juga teknologi RoHS yang memastikan bahwa produk ini ramah lingkungan.
Industrial Application
- Industri Energi: Dengan kemampuan tegangan tinggi dan daya yang besar, IGBT Transistors FG cocok untuk aplikasi dalam industri pembangkit listrik, baik pembangkit listrik tenaga nuklir maupun pembangkit tenaga surya. Komponen ini membantu dalam mengontrol aliran listrik dengan presisi, memastikan stabilitas dalam distribusi energi.
- Transportasi Listrik: Kendaraan listrik dan kereta listrik modern memanfaatkan teknologi IGBT Transistors untuk mengatur motor listrik dan sistem kontrol daya. Hal ini membantu dalam mengoptimalkan efisiensi dan kinerja kendaraan listrik.
- Elektronik Industri: Dalam mesin industri, terutama yang berkaitan dengan pengelasan, pemotongan, dan pemrosesan material logam, IGBT Transistors memainkan peran penting dalam mengendalikan daya dan menghindari kerusakan peralatan.
- Sistem Konversi Energi: Dalam sistem konversi energi, seperti inverter frekuensi variabel (VFD), IGBT Transistors digunakan untuk mengubah energi DC menjadi AC, yang memiliki berbagai aplikasi dalam pengendalian motor dan sistem otomatisasi.
Related: IGBT Transistors
APT25GT120BRG
IGBT Transistors · Microchip Technology
APT30GN60BG
IGBT Transistors · Microchip Technology
APT50GT120LRG
IGBT Transistors · Microchip Technology
APT75GN60SDQ2G
IGBT Transistors · Microchip Technology
IRG4PC50UD-EPBF
IGBT Transistors · Infineon
SG2803DW
IGBT Transistors · Microchip Technology
STGSB200M65DF2AG
IGBT Transistors · STMicroelectronics